微區(qū)掃描電化學(xué)工作站是一個(gè)建立在電化學(xué)掃描探針的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上的，進(jìn)行高測量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區(qū)形貌及電化學(xué)微區(qū)測試系統(tǒng)。 它是提供給電化學(xué)及材料測試以*空間分辨率的一個(gè)測試平臺(tái)。每個(gè)VersaSCAN都具有高分辨率，長工作距離的閉環(huán)定位系統(tǒng)并安裝于抗震光學(xué)平臺(tái)上。不同的輔助選件都安裝于定位系統(tǒng)上，輔助選件包括，如電位計(jì)，壓電振動(dòng)單元，或者激光傳感器，為不同掃描探針試驗(yàn)，定位系統(tǒng)提供不同的功能。VersaSTAT恒電位儀和Signal Recovery 7230鎖相放大器和定位系統(tǒng)整合在一起，由以太網(wǎng)來控制，保證小信號的測量。
 

　　微區(qū)掃描電化學(xué)是一個(gè)模塊化配置的系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)如下現(xiàn)今所有微區(qū)掃描探針電化學(xué)技術(shù)以及激光非接觸式微區(qū)形貌測試： Scanning Electrochemical Microscopy (SECM) 掃描電化學(xué)顯微鏡 Scanning Vibrating Electrode Technique (SVET) 掃描振動(dòng)電極測試 Scanning Kelvin Probe (SKP) 掃描開爾文探針測試 Localized Electrochemical Impedance Spectroscopy (LEIS) 微區(qū)掃描電化學(xué)阻抗測試 Scanning Droplet Cell (SDC) 掃描電解液微滴測試 Non-Contact Surface Profiling (OSP) 非觸式光學(xué)微區(qū)形貌測試
 

　　以上每項(xiàng)技術(shù)使用不同的測量探針，且安裝位置與樣品非常接近，但是不接觸到樣品。隨著探針測試的進(jìn)行，改變探針的空間位置。然后將所記錄的數(shù)據(jù)對探針位置作圖，針對不同技術(shù)，該圖可以呈現(xiàn)微區(qū)電化學(xué)電流，阻抗，相對功函或者是表面形貌圖。
 

　　微區(qū)掃描電化學(xué)阻抗技術(shù)(LEIS)能確定局部區(qū)域固/液界面的阻抗行為及相應(yīng)參數(shù)，如局部腐蝕速率、涂層(有機(jī)、無機(jī))完整性和均勻性、涂層下或與金屬界面間的局部腐蝕、緩蝕劑性能及不銹鋼鈍化/再鈍化等多種電化學(xué)界面特性。阻抗技術(shù)是向被測電極施加一微擾電壓，從而感生出交變電流，通過使用兩個(gè)鉑微電極確定金屬表面上局部溶液交流電流密度來測量局部阻抗的技術(shù)。